itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek / SIA914DJ-T1-GE3
Gyártási szám | SIA914DJ-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIA914DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIA914DJ-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | 2 N-Channel (Dual) |
FET funkció | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
Teljesítmény - Max | 6.5W |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA914DJ-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIA914DJ-T1-GE3-FT |
SP8M3TB
Rohm Semiconductor
SP8M4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M51TB1
Rohm Semiconductor
SP8M5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M5TB
Rohm Semiconductor
SP8M6FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M6TB
Rohm Semiconductor
SP8M70TB1
Rohm Semiconductor
SP8M7FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M7TB
Rohm Semiconductor