itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek / SIA537EDJ-T1-GE3
Gyártási szám | SIA537EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIA537EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIA537EDJ-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N and P-Channel |
FET funkció | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V, 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 6V |
Teljesítmény - Max | 7.8W |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA537EDJ-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIA537EDJ-T1-GE3-FT |
SP8K2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K31TB1
Rohm Semiconductor
SP8K3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4TB
Rohm Semiconductor
SP8K5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K5TB
Rohm Semiconductor
SP8M10FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M10TB
Rohm Semiconductor
SP8M2FU6TB
Rohm Semiconductor