itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek / SIA519EDJ-T1-GE3
Gyártási szám | SIA519EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIA519EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIA519EDJ-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N and P-Channel |
FET funkció | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
Teljesítmény - Max | 7.8W |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA519EDJ-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIA519EDJ-T1-GE3-FT |
SP8J1FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J1TB
Rohm Semiconductor
SP8J2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J2TB
Rohm Semiconductor
SP8J3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J4TB
Rohm Semiconductor
SP8J5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J5TB
Rohm Semiconductor
SP8J65TB1
Rohm Semiconductor
SP8J66TB1
Rohm Semiconductor
A54SX08A-1FG144
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F1152I3
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FTQG176
Microsemi Corporation
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K1000CB652C7
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel