itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIA430DJT-T1-GE3
Gyártási szám | SIA430DJT-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIA430DJT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIA430DJT-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 19.2W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-70-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA430DJT-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIA430DJT-T1-GE3-FT |
DMTH6016LFVWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH8012LPSW-13
Diodes Incorporated
FDP2D3N10C
ON Semiconductor
SCTH90N65G2V-7
STMicroelectronics
SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
GA50JT06-258
GeneSiC Semiconductor
NVATS5A304PLZT4G
ON Semiconductor
NVB082N65S3F
ON Semiconductor
NVBLS0D5N04M8TXG
ON Semiconductor
DMN2080UCB4-7
Diodes Incorporated
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel