itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI8851EDB-T2-E1
Gyártási szám | SI8851EDB-T2-E1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI8851EDB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI8851EDB-T2-E1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 7.7A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 660mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | Power Micro Foot® (2.4x2) |
Csomag / eset | 30-XFBGA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8851EDB-T2-E1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI8851EDB-T2-E1-FT |
SI3457CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3458DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3459DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3460DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3460DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3473CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-E3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel