itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI8475EDB-T1-E1
Gyártási szám | SI8475EDB-T1-E1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI8475EDB-T1-E1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI8475EDB-T1-E1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | - |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 4-Microfoot |
Csomag / eset | 4-XFBGA, CSPBGA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8475EDB-T1-E1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI8475EDB-T1-E1-FT |
SIJ400DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ420DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ458DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ482DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ484DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJA52ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJA52DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel