itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI8405DB-T1-E3
Gyártási szám | SI8405DB-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI8405DB-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI8405DB-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.47W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 4-Microfoot |
Csomag / eset | 4-XFBGA, CSPBGA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8405DB-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI8405DB-T1-E3-FT |
SIJ186DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ188DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ800DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHJ6N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHJ8N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ400DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ420DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ458DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIJ470DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel