itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek / SI7956DP-T1-E3
Gyártási szám | SI7956DP-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7956DP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI7956DP-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | 2 N-Channel (Dual) |
FET funkció | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Teljesítmény - Max | 1.4W |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 Dual |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 Dual |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7956DP-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7956DP-T1-E3-FT |
TMC1340-SO
Trinamic Motion Control GmbH
TPC8207(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8207(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8208(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8208(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8211(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8212-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8213-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8405(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
UPA1764G-E2-AZ
Renesas Electronics America
XC6SLX9-L1TQG144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC2S100-6PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX10DF672C6
Intel
EP4CE15F23C6N
Intel
EP3SL340F1517C3N
Intel
5CEBA4U19C7N
Intel
EP20K1000EBC652-1
Intel