itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI7772DP-T1-GE3
Gyártási szám | SI7772DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7772DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | SkyFET®, TrenchFET® |
SI7772DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35.6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1084pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7772DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7772DP-T1-GE3-FT |
SI7413DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7413DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7415DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7415DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7425DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7425DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7445DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7445DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7447ADP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7447ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel