itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI7703EDN-T1-GE3
Gyártási szám | SI7703EDN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7703EDN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI7703EDN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 800µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | Schottky Diode (Isolated) |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.3W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7703EDN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7703EDN-T1-GE3-FT |
SI7810DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7812DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7812DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7818DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS435DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS456DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS468DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS888DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA04DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel