itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI7460DP-T1-GE3
Gyártási szám | SI7460DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7460DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI7460DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.9W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7460DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7460DP-T1-GE3-FT |
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA88DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS27ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS28DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7104DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7328DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7806ADN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel