itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI7409ADN-T1-GE3
Gyártási szám | SI7409ADN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7409ADN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI7409ADN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 11A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.5W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7409ADN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7409ADN-T1-GE3-FT |
SI7116DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7129DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7611DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7613DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7615DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7629DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7810DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SISA14DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISC06DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel