itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI6413DQ-T1-GE3
Gyártási szám | SI6413DQ-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI6413DQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI6413DQ-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 400µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.05W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-TSSOP |
Csomag / eset | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6413DQ-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI6413DQ-T1-GE3-FT |
SPB100N08S2L-07
Infineon Technologies
SPB10N10
Infineon Technologies
SPB10N10 G
Infineon Technologies
SPB10N10L
Infineon Technologies
SPB10N10L G
Infineon Technologies
SPB11N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB11N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB12N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB16N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB17N80C3ATMA1
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel