itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek / SI5947DU-T1-GE3
Gyártási szám | SI5947DU-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI5947DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI5947DU-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | 2 P-Channel (Dual) |
FET funkció | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
Teljesítmény - Max | 10.4W |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® ChipFet Dual |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5947DU-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI5947DU-T1-GE3-FT |
SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA922EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB912DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA921EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA913ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA931DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA777EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX32A-2TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208A
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD3E2H29I3L
Intel
EP2AGX125DF25I5N
Intel
5SGXMA9N2F45C2N
Intel
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
EP1S25F1020C6
Intel