itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI4825DY-T1-GE3
Gyártási szám | SI4825DY-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI4825DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI4825DY-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 8.1A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.5W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4825DY-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI4825DY-T1-GE3-FT |
SI4362BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4368DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4384DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4384DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4386DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4390DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4390DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4396DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4396DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4398DY-T1-E3
Vishay Siliconix
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel