itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI4620DY-T1-E3
Gyártási szám | SI4620DY-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI4620DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | LITTLE FOOT® |
SI4620DY-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 7.5A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 15V |
FET funkció | Schottky Diode (Isolated) |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4620DY-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI4620DY-T1-E3-FT |
SI4104DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4108DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4110DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4114DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4114DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4116DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4124DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4124DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4126DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4136DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel