itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI4463CDY-T1-GE3
Gyártási szám | SI4463CDY-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI4463CDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI4463CDY-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 13.6A (Ta), 49A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 162nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4250pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.7W (Ta), 5W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4463CDY-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI4463CDY-T1-GE3-FT |
SI6433BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6435ADQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6435ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6443DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6443DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6459BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6459BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6463BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6463BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6465DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel