itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI4448DY-T1-GE3
Gyártási szám | SI4448DY-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI4448DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI4448DY-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 20A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 12350pF @ 6V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4448DY-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI4448DY-T1-GE3-FT |
RSS090N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03FU7TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03TB
Rohm Semiconductor
RSS095N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS100N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS100N03TB
Rohm Semiconductor
RSS105N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS105N03TB
Rohm Semiconductor
RSS110N03FU6TB
Rohm Semiconductor
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel