itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI4435DDY-T1-E3
Gyártási szám | SI4435DDY-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI4435DDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI4435DDY-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 9.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4435DDY-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI4435DDY-T1-E3-FT |
SI6413DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6433BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6433BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6435ADQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6435ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6443DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6443DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6459BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6459BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6463BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix