itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI4435BDY-T1-E3
Gyártási szám | SI4435BDY-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI4435BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI4435BDY-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.5W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4435BDY-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI4435BDY-T1-E3-FT |
RSS070N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS070P05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS075P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS075P03TB
Rohm Semiconductor
RSS080N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS085N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03FU7TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03TB
Rohm Semiconductor
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel