itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI4409DY-T1-GE3
Gyártási szám | SI4409DY-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI4409DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI4409DY-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 332pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4409DY-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI4409DY-T1-GE3-FT |
RSH070N05TB1
Rohm Semiconductor
RSH070P05TB1
Rohm Semiconductor
RSH090N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH100N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH110N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH125N03TB1
Rohm Semiconductor
RSH140N03TB1
Rohm Semiconductor
RSS040P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS050P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS050P03TB
Rohm Semiconductor
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel