itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI4122DY-T1-GE3
Gyártási szám | SI4122DY-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI4122DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI4122DY-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 27.2A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3W (Ta), 6W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4122DY-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI4122DY-T1-GE3-FT |
SI6473DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMN2011UTS-13
Diodes Incorporated
TPS1100PWR
Texas Instruments
DMN3020UTS-13
Diodes Incorporated
TPS1100PW
Texas Instruments
FDW252P
ON Semiconductor
FDW254P
ON Semiconductor
FDW254PZ
ON Semiconductor
FDW256P
ON Semiconductor
FDW258P
ON Semiconductor
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel