itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI4062DY-T1-GE3
Gyártási szám | SI4062DY-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI4062DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI4062DY-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 32.1A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3175pF @ 30V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 7.8W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | - |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4062DY-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI4062DY-T1-GE3-FT |
SI6467BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI6469DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6473DQ-T1-E3
Vishay Siliconix
SI6473DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMN2011UTS-13
Diodes Incorporated
TPS1100PWR
Texas Instruments
DMN3020UTS-13
Diodes Incorporated
TPS1100PW
Texas Instruments
FDW252P
ON Semiconductor
FDW254P
ON Semiconductor
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel