itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI2318CDS-T1-GE3
Gyártási szám | SI2318CDS-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI2318CDS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI2318CDS-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SOT-23-3 (TO-236) |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2318CDS-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI2318CDS-T1-GE3-FT |
FDN5618P
ON Semiconductor
SI2301CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SQ2308CES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI2316DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2343CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
TN2404K-T1-E3
Vishay Siliconix
BSS138NH6327XTSA2
Infineon Technologies
FDN337N
ON Semiconductor
SI2307CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel