itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI2312CDS-T1-GE3
Gyártási szám | SI2312CDS-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI2312CDS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI2312CDS-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SOT-23-3 (TO-236) |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2312CDS-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI2312CDS-T1-GE3-FT |
SI1473DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1480DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1488DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1488DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1489EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ1420EEH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1431EH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1440EH-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ1464EEH-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.