itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI2311DS-T1-GE3
Gyártási szám | SI2311DS-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI2311DS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI2311DS-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 4V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 710mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SOT-23-3 |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2311DS-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI2311DS-T1-GE3-FT |
BSS127 E6327
Infineon Technologies
BSS127H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS127L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS131E6327
Infineon Technologies
BSS131L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS138-D87Z
ON Semiconductor
BSS138N E6433
Infineon Technologies
BSS138N E6908
Infineon Technologies
BSS138N E7854
Infineon Technologies
BSS138N E8004
Infineon Technologies
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel