itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI1414DH-T1-GE3
Gyártási szám | SI1414DH-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI1414DH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI1414DH-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SOT-363 |
Csomag / eset | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1414DH-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI1414DH-T1-GE3-FT |
TK12E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK17E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
DMNH10H028SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCTQ
Diodes Incorporated
DMG4N60SCT
Diodes Incorporated
DMG9N65CT
Diodes Incorporated
DMTH6010SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCT
Diodes Incorporated
DMT6004SCT
Diodes Incorporated
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel