itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / RN2312(TE85L,F)
Gyártási szám | RN2312(TE85L,F) |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-RN2312(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
RN2312(TE85L,F) Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 22 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | - |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 100nA (ICBO) |
Frekvencia - Átmenet | 200MHz |
Teljesítmény - Max | 100mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SC-70, SOT-323 |
Beszállítói eszközcsomag | USM |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN2312(TE85L,F) Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | RN2312(TE85L,F)-FT |
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1105MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1131MFV(TL3,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XA6SLX25-3FTG256Q
Xilinx Inc.
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208M
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E2LG
Intel