itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / RN1301,LF
Gyártási szám | RN1301,LF |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-RN1301,LF |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
RN1301,LF Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 4.7 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 100mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SC-70, SOT-323 |
Beszállítói eszközcsomag | USM |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1301,LF Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | RN1301,LF-FT |
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFE2-70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC7VX485T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8N
Intel
5CEBA2U15I7
Intel
EPF10K200SRC240-3N
Intel
EPF10K50VQI240-2N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel