itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / RN1301,LF
Gyártási szám | RN1301,LF |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-RN1301,LF |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
RN1301,LF Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 4.7 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 100mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SC-70, SOT-323 |
Beszállítói eszközcsomag | USM |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1301,LF Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | RN1301,LF-FT |
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1110MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1117MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1130MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103MFV(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150-3FG676C
Xilinx Inc.
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C9L
Intel
LCMXO2-7000ZE-3FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9E6F31C7N
Intel
EPF10K100EQC240-3N
Intel
EP1K100QC208-2
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel