itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / RJK6014DPK-00#T0
Gyártási szám | RJK6014DPK-00#T0 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-RJK6014DPK-00#T0 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
RJK6014DPK-00#T0 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 575 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 150W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-3P |
Csomag / eset | TO-3P-3, SC-65-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK6014DPK-00#T0 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | RJK6014DPK-00#T0-FT |
RQ3E120BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E150BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E160ADTB
Rohm Semiconductor
RQ3E180AJTB
Rohm Semiconductor
RQ3E180BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3G100GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3G150GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3L050GNTB
Rohm Semiconductor
RQ3P300BETB1
Rohm Semiconductor
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel