itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / R6020ENZ1C9
Gyártási szám | R6020ENZ1C9 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-R6020ENZ1C9 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
R6020ENZ1C9 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 196 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 120W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247 |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6020ENZ1C9 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | R6020ENZ1C9-FT |
ATP202-TL-H
ON Semiconductor
NVATS5A106PLZT4G
ON Semiconductor
ATP102-TL-H
ON Semiconductor
ATP107-TL-H
ON Semiconductor
ATP201-TL-H
ON Semiconductor
ATP201-V-TL-H
ON Semiconductor
ATP203-TL-H
ON Semiconductor
ATP204-TL-H
ON Semiconductor
ATP206-TL-H
ON Semiconductor
ATP207-S-TL-H
ON Semiconductor
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel