itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / PDTB143EQAZ
Gyártási szám | PDTB143EQAZ |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-PDTB143EQAZ |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101 |
PDTB143EQAZ Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | PNP - Pre-Biased |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 500mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 4.7 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | 150MHz |
Teljesítmény - Max | 325mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 3-XDFN Exposed Pad |
Beszállítói eszközcsomag | DFN1010D-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB143EQAZ Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | PDTB143EQAZ-FT |
PDTA113EE,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA114EE,115
NXP USA Inc.
PDTA114TE,115
NXP USA Inc.
PDTA114YE,115
NXP USA Inc.
PDTA115EE,115
NXP USA Inc.
PDTA115TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123EE,115
NXP USA Inc.
PDTA123JE,115
NXP USA Inc.
PDTA123TE,115
NXP USA Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP3CLS100F484I7N
Intel
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
EP3C5E144I7
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation