itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / NVD5867NLT4G
Gyártási szám | NVD5867NLT4G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-NVD5867NLT4G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101 |
NVD5867NLT4G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 22A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 675pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | DPAK-3 |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD5867NLT4G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | NVD5867NLT4G-FT |
NDS355AN-F169
ON Semiconductor
NDS355AN-NB9L007A
ON Semiconductor
NDS356AP-NB8L005A
ON Semiconductor
NDT02N60ZT1G
ON Semiconductor
NDT02N60ZT3G
ON Semiconductor
NILMS4501NR2
ON Semiconductor
NILMS4501NR2G
ON Semiconductor
NP100N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N04PUG-E1-AY
Renesas Electronics America
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel