itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / NVD5867NLT4G-TB01
Gyártási szám | NVD5867NLT4G-TB01 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-NVD5867NLT4G-TB01 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101 |
NVD5867NLT4G-TB01 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 22A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 675pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | DPAK-3 |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVD5867NLT4G-TB01 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | NVD5867NLT4G-TB01-FT |
NDS355AN-NB9L007A
ON Semiconductor
NDS356AP-NB8L005A
ON Semiconductor
NDT02N60ZT1G
ON Semiconductor
NDT02N60ZT3G
ON Semiconductor
NILMS4501NR2
ON Semiconductor
NILMS4501NR2G
ON Semiconductor
NP100N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP100N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N04PUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP109N04PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics America
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel