itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Arrays / NCV1413BDR2G
Gyártási szám | NCV1413BDR2G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-NCV1413BDR2G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
NCV1413BDR2G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | 7 NPN Darlington |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 500mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Teljesítmény - Max | - |
Frekvencia - Átmenet | - |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Beszállítói eszközcsomag | 16-SOIC |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NCV1413BDR2G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | NCV1413BDR2G-FT |
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMT17T110
Rohm Semiconductor
IMT17T208
Rohm Semiconductor
IMT1AT108
Rohm Semiconductor
IMT3AT108
Rohm Semiconductor
IMX17T108
Rohm Semiconductor
IMX17T110
Rohm Semiconductor
IMX1T108
Rohm Semiconductor
IMX3T108
Rohm Semiconductor
XC7K160T-2FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2EQJ
Microchip Technology
EP2C70F672I8N
Intel
EP4CE15F17I8LN
Intel
EP2C5F256I8
Intel
EP4SE530H35I3
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
EPF8820AQC160-3
Intel