itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Arrays, Pre-Bias / MUN5112DW1T1G
Gyártási szám | MUN5112DW1T1G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-MUN5112DW1T1G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
MUN5112DW1T1G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
Tranzisztor típus | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Ellenállás - alap (R1) | 22 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | 500nA |
Frekvencia - Átmenet | - |
Teljesítmény - Max | 250mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Beszállítói eszközcsomag | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5112DW1T1G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | MUN5112DW1T1G-FT |
NSBC114TDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor
EMF5XV6T5
ON Semiconductor
NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA114TDXV6T5
ON Semiconductor
NSBA114YDXV6T1
ON Semiconductor
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-6FGG256I
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGSMD6K2F40I3LN
Intel
EP3SL200F1152I4L
Intel
EP1S30F780C7N
Intel
EP2S90F1020C5N
Intel