itthon / Termékek / Integrált áramkörök (IC-k) / memória / MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Gyártási szám | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
Memória típusa | Non-Volatile |
Memóriaformátum | FLASH, RAM |
Technológia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Memória méret | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Óra gyakorisága | 533MHz |
Ciklusidő írása - szó, oldal | - |
Hozzáférési idő | - |
Memória interfész | Parallel |
Feszültség - ellátás | 1.8V |
Üzemi hőmérséklet | -25°C ~ 85°C (TA) |
Szerelési típus | - |
Csomag / eset | - |
Beszállítói eszközcsomag | - |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E-FT |
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel