itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Arrays / MC1413DR2G
Gyártási szám | MC1413DR2G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-MC1413DR2G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
MC1413DR2G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | 7 NPN Darlington |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 500mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Teljesítmény - Max | - |
Frekvencia - Átmenet | - |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Beszállítói eszközcsomag | 16-SOIC |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC1413DR2G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | MC1413DR2G-FT |
BC846UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC856UE6327HTSA1
Infineon Technologies
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMT17T110
Rohm Semiconductor
IMT17T208
Rohm Semiconductor
IMT1AT108
Rohm Semiconductor
IMT3AT108
Rohm Semiconductor
XC3S1000-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C7N
Intel
5AGXBA7D6F27C6N
Intel
EP3C16E144I7
Intel
EP4SE530F43I3
Intel
XC4008E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation