itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Arrays / MC1413BDR2G
Gyártási szám | MC1413BDR2G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-MC1413BDR2G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
MC1413BDR2G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | 7 NPN Darlington |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 500mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | 50V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Teljesítmény - Max | - |
Frekvencia - Átmenet | - |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Beszállítói eszközcsomag | 16-SOIC |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC1413BDR2G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | MC1413BDR2G-FT |
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B01FDW1T1
ON Semiconductor
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMT17T110
Rohm Semiconductor
IMT17T208
Rohm Semiconductor
IMT1AT108
Rohm Semiconductor
IMT3AT108
Rohm Semiconductor
IMX17T108
Rohm Semiconductor
IMX17T110
Rohm Semiconductor
IMX1T108
Rohm Semiconductor