itthon / Termékek / Integrált áramkörök (IC-k) / memória / M95160-DRMN8TP/K
Gyártási szám | M95160-DRMN8TP/K |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-M95160-DRMN8TP/K |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q100 |
M95160-DRMN8TP/K Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Memória típusa | Non-Volatile |
Memóriaformátum | EEPROM |
Technológia | EEPROM |
Memória méret | 16Kb (2K x 8) |
Óra gyakorisága | 20MHz |
Ciklusidő írása - szó, oldal | 4ms |
Hozzáférési idő | - |
Memória interfész | SPI |
Feszültség - ellátás | 1.8V ~ 5.5V |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 105°C (TA) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95160-DRMN8TP/K Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | M95160-DRMN8TP/K-FT |
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel