itthon / Termékek / Integrált áramkörök (IC-k) / memória / M93C76-RMN3TP/K
Gyártási szám | M93C76-RMN3TP/K |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-M93C76-RMN3TP/K |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q100 |
M93C76-RMN3TP/K Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Memória típusa | Non-Volatile |
Memóriaformátum | EEPROM |
Technológia | EEPROM |
Memória méret | 4Kb (512 x 8, 256 x 16) |
Óra gyakorisága | 2MHz |
Ciklusidő írása - szó, oldal | 5ms |
Hozzáférési idő | - |
Memória interfész | SPI |
Feszültség - ellátás | 1.8V ~ 5.5V |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 125°C (TA) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M93C76-RMN3TP/K Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | M93C76-RMN3TP/K-FT |
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel