itthon / Termékek / Integrált áramkörök (IC-k) / memória / M24C08-DRMN8TP/K
Gyártási szám | M24C08-DRMN8TP/K |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-M24C08-DRMN8TP/K |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q100 |
M24C08-DRMN8TP/K Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Memória típusa | Non-Volatile |
Memóriaformátum | EEPROM |
Technológia | EEPROM |
Memória méret | 8Kb (1K x 8) |
Óra gyakorisága | 1MHz |
Ciklusidő írása - szó, oldal | 4ms |
Hozzáférési idő | 450ns |
Memória interfész | I²C |
Feszültség - ellátás | 1.8V ~ 5.5V |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 105°C (TA) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C08-DRMN8TP/K Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | M24C08-DRMN8TP/K-FT |
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel