itthon / Termékek / Integrált áramkörök (IC-k) / memória / M24C08-DRMN3TP/K
Gyártási szám | M24C08-DRMN3TP/K |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-M24C08-DRMN3TP/K |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q100 |
M24C08-DRMN3TP/K Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Memória típusa | Non-Volatile |
Memóriaformátum | EEPROM |
Technológia | EEPROM |
Memória méret | 8Kb (1K x 8) |
Óra gyakorisága | 1MHz |
Ciklusidő írása - szó, oldal | 4ms |
Hozzáférési idő | 450ns |
Memória interfész | I²C |
Feszültség - ellátás | 1.7V ~ 5.5V |
Üzemi hőmérséklet | -40°C ~ 125°C (TA) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Beszállítói eszközcsomag | 8-SO |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C08-DRMN3TP/K Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | M24C08-DRMN3TP/K-FT |
TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel