itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IRFR12N25DTRPBF
Gyártási szám | IRFR12N25DTRPBF |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IRFR12N25DTRPBF |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | HEXFET® |
IRFR12N25DTRPBF Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 144W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D-Pak |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR12N25DTRPBF Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IRFR12N25DTRPBF-FT |
GP1M016A025CG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020CG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065CG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065CG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050CG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060CG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060CG
Global Power Technologies Group
HUF75307D3ST
ON Semiconductor