itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IRFI840G
Gyártási szám | IRFI840G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IRFI840G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
IRFI840G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 40W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220-3 |
Csomag / eset | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI840G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IRFI840G-FT |
2SJ438(AISIN,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(AISIN,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,MDKQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ438,Q(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ652
ON Semiconductor
2SJ652-RA11
ON Semiconductor