itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IRFH5020TRPBF
Gyártási szám | IRFH5020TRPBF |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IRFH5020TRPBF |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | HEXFET® |
IRFH5020TRPBF Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 8-PQFN (5x6) |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5020TRPBF Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IRFH5020TRPBF-FT |
BSC082N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC084P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSC084P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC085N025S G
Infineon Technologies
BSC0901NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0902NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0904NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1
Infineon Technologies
BSC090N03MSGATMA1
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel