itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IRFD9110PBF
Gyártási szám | IRFD9110PBF |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IRFD9110PBF |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
IRFD9110PBF Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.3W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Csomag / eset | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD9110PBF Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IRFD9110PBF-FT |
TK4A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A60DB(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4A65DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage