itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPP50R399CPXKSA1
Gyártási szám | IPP50R399CPXKSA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPP50R399CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | CoolMOS™ |
IPP50R399CPXKSA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Not For New Designs |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 83W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO220-3 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP50R399CPXKSA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPP50R399CPXKSA1-FT |
IPP06CN10N G
Infineon Technologies
IPP06CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP06CNE8N G
Infineon Technologies
IPP06N03LA
Infineon Technologies
IPP070N06L G
Infineon Technologies
IPP070N06N G
Infineon Technologies
IPP070N08N3 G
Infineon Technologies
IPP072N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP07N03LB G
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel