itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPP26CNE8N G
Gyártási szám | IPP26CNE8N G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPP26CNE8N G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPP26CNE8N G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 40V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 71W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO220-3 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP26CNE8N G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPP26CNE8N G-FT |
IPP045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP048N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP048N06L G
Infineon Technologies
IPP04CN10NG
Infineon Technologies
IPP04N03LA
Infineon Technologies
IPP04N03LB G
Infineon Technologies
IPP050N06N G
Infineon Technologies
IPP051N15N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP052N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP052NE7N3GHKSA1
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel