itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPP080N06N G
Gyártási szám | IPP080N06N G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPP080N06N G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPP080N06N G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 30V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 214W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO220-3-1 |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP080N06N G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPP080N06N G-FT |
IPP052N08N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP052N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
SPP21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP16CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP023N04NGXKSA1
Infineon Technologies
BUZ32 H
Infineon Technologies
IPP040N06NAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190E6XKSA1
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.